IGBT的演变和发展方向
IGBT是在上世纪90年代处在功率MOSFET的基础上发展起来的.十多年来,IGBT迅速成长,并成熟为当代最具有竞争力的电力半导体器件之一.实际上,在保持IGBT基本结构、基本原理的特点不变之外,它又经历了五代有特色的演变.迄今,根据不同的应用需求,它还在继续演变出不同的、具有特殊性能的派生产品.作为使用IGBT的电力电子装置设计、制造者,了解这个演变过程和这些特征产品及派生产品的特点,对正确选用、合理用好IGBT是十分必要的.
IGBT 基本结构 电力电力学 半导体器件
王正元
IEEE电力电子协会北京分会(北京)
国内会议
秦皇岛
中文
32-34
2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）