SrCO<,3>掺杂导致的SnO<,2>压敏电阻的晶粒尺寸效应
本文研究了SrCO<,3>对(Co,Ta)掺杂SnO<,2>压敏材料电学性质的影响.当SrCO<,3>的含量从0.00增加到2.5mol﹪时,(Co,Ta)掺杂SnO<,2>压敏电阻的击穿电压从318V/mm迅速减小到3624V/mm,40Hz时的相对介电常数从1509迅速增加到69,晶粒尺寸从8.19μm减小到1.03μm.随着SrCO<,3>含量的增加,SnO<,2>的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因.掺杂1.5mol﹪ SrCO<,3>的样品,压敏电压和非线性系数分别是1738V/mm和23.7;掺杂2.5mol﹪ SrCO<,3>的样品,压敏电压和非线性系数分别是3624V/mm和22.如此高的压敏电压,未见报道.这种压敏材料,在高压和超高压领域具有应用价值.
无机非金属材料 压敏电阻器 铅掺杂 二氧化锡 肖特基势垒
王矜奉 陈洪存 张承琚 赵春华 高建鲁
山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室(济南) 滨州师专物理系(滨州) 济南安太电子研究所
国内会议
桂林
中文
199-204
2004-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）