LEC（Ⅲ）GaP晶片缺陷的观察

摘要：

该文叙述使用STM、SEM观察GaP晶片切割、研磨引入的损伤及磨片和抛光试验。所得结果为：切片损伤层约30.3um，磨片损伤层≤20um。也观察到一些GaP单晶锭局部表面布满麻坑，这是单晶生长时，磷挥发造成的，离表西100～150um范围有Ga凝聚物，它是由于磷挥发后造成Ga过剩并聚集在二起形成的。

关键词： LEC（Ⅲ）GaP晶片缺陷

作者: 陈坚邦 郑安生

作者单位: 有色金属研究总院

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 51～55

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）