氮化物结合碳化硅窑具材料抗氧化性能研究
在不同氧化温度下(1150℃~1450℃)对Si<,2>N<,2>O结合SiC与Si<,3>N<,4>结合SiC两种氮化物结合SiC窑具材料的抗氧化性进行了对比研究.结果表明:在显气孔率与氧化面积相近的情况下,Si<,2>N<,2>O结合SiC材料低温下(<1250℃)具有较好的抗氧化性,而Si<,3>N<,4>结合SiC材料高温下(≥1250℃)具有较好的抗氧化性.
抗氧化性 窑具材料 氮化物 碳化硅
刘春侠 赵俊国 张治平 王文武
洛阳耐火材料研究院
国内会议
河南登封
中文
242-246
2004-05-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)