SiC在浇注料基质中的氧化行为研究
利用热重、XRD以及电镜等手段对SiC细粉和微粉在浇注料基质中的氧化行为进行了研究.结果表明:SiC细粉氧化开始于1000℃左右,而SiC微粉大概在800℃左右开始氧化.二者剧烈氧化的温度都在1300—1400℃左右.水泥的存在可以促进SiC氧化.浇注料中引入SiC后,SiC氧化生成的SiO<,2>一部分和试样中的活性α-Al<,2>O<,3>微粉反应生成莫来石,另一部分则和水泥中的Ca<”2+>生成低熔物共存于富Si玻璃相包裹骨料和基质,增强了试样冷态强度.
SiC 浇注料 氧化行为
戚建强 李楠 李江
武汉科技大学高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室(武汉)
国内会议
河南登封
中文
222-225
2004-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）