平面光波回路用均匀折射率厚SiO<,2>膜制备技术研究

摘要：

通过优化多孔硅氧化工艺制备了高质量的均匀折射率厚SiO<,2>薄膜,该方法具有高效、低成本的显著优点.通过高倍光学显微观察与棱镜耦合仪分析得到:多孔硅氧化形成的SiO<,2>膜厚度达到13μm且厚度均匀;折射率为1.4448;折射率不均匀度小于0.01﹪.

关键词： 硅基二氧化硅 阳极氧化 光波导 折射率 制备技术

作者: 李健 安俊明 郜定山 夏君磊 李建光 王红杰 胡雄伟

作者单位: 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届中国光纤器件发展研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 186-187

在线出版日期: 2004-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）