低双折射系数的硅基二氧化硅波导制备与数值分析
采用非传统工艺制备了硅基二氧化硅光波导,制备的波导侧向存在一硅层.利用有限元法(FEM)从理论上分析了侧向硅层存在时的硅基二氧化硅光波导的应力分布,并采用全矢量隐含迭代法束传播法(ADI-BPM)对制备的光波导双折射系数进行计.结果表明,侧向硅层的存在可平衡硅基二氧化波导在水平方向与垂直方向的应力,减小这两个方向上的应力差,有助于减小硅基二氧化硅光波导的应力双折射.
硅基二氧化硅 光波导 制备工艺 数值分析 有限元法 应力分布
安俊明 李健 郜定山 夏君磊 李建光 王红杰 胡雄伟
中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心(北京);内蒙古大学物理系 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心(北京)
国内会议
北京
中文
183-185
2004-05-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)