磁性异质结中的半导体-金属转变现象
众所周知,改变化学组份,改变原子排列的有序-无序排列,外加压力和磁场,以及温度的变化等等都可以诱发绝缘体(半导体)-金属转变.对于这一现象已有一系列物理模型描述这一物理现象,例如Wilson转变,Peierls转变,Mott,转变,Anderson转变模型等等.本文报道一种新型绝缘体-金属转变.它发生在p-n结中而不是发生在单质材料中或单一化合物中.我们的器件是用激光分子朿外延(LMBE)技术在n型袿单晶(100)衬底上外延生长一层P型La<,0.9>Sr<,0.1>MnO<,3>(LSMO)薄膜组成.
磁性异质结 半导体-金属转变 激光分子束外延 有序-无序排列
戴守愚 刘立丰 吕惠宾 陈正豪
中国科学院物理研究所(北京)
国内会议
深圳
中文
147-148
2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）