ZnO薄膜的Sol-gel制备及退火温度对结构的影响

本文采用sol-gel旋涂法在抛光硅<111>晶面生长了高茺C轴取向的ZnO薄膜.DSC以及XRD数据显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响.SEM及AFM显示薄膜表面致密、均匀、光滑,组成薄膜的颗粒尺寸在50~100nm,并显示出良好的C轴择优取向.
ZnO薄膜 溶胶-凝胶法 热处理 退火温度 宽带化合物半导体
谷坤明 汤皎宁 李均钦 杨钦鹏 罗桂清 许景幸 李翠华
深圳大学理学院材料系,深圳市特种功能材料重点实验室(广东深圳) 深圳大学师范学院化生系(广东深圳)
国内会议
深圳
中文
371-374
2004-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)