V替代对Sr<,2>FeMoO<,6>电磁性质的影响
本文系统研究了V替代Fe对Sr<,2>FeMoO<,6>的晶体结构和电磁特性的影响.结构精修表明V的掺入降低了B位有序度;电测量结果显示,Sr<,2>FeMoO<,6>及低掺杂量的样品呈半导体性,V含量较高的样品在低温呈半导体特性,而在高温呈金属性;样品的居里温度和磁阻效应随掺杂量的提高也有所降低.
双钙钛矿 Rietveld结构精修 磁阻 V替代 晶体结构 电磁特性 B位有序度 磁电阻效应
张芹 饶光辉 肖荫果 董汇泽 刘广耀 张毅 陈景然
中国科学院物理研究所A03组(北京)
国内会议
深圳
中文
327-329
2004-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)