Mg掺杂p-型GaN半导体的热力学模型化

摘要：

采用四亚点阵模型对Mg掺杂p-型GaN中掺杂Mg、H、点缺陷和载流子进行了热力学描述.以第一性原理计算结果为基础,通过实验数据的热力学优化得到物种的特征热力学函数,计算了实验符合较好.利用优化得到的热力学数据对Mg掺杂p-型GaN半导体体系进行热力学分析,探讨了导致Mg掺杂p-型GaN低霍尔浓度的原因.

关键词： Mg掺杂 p-型GaN半导体 热力学分析 低霍尔浓度

作者: 李静波 饶光辉 张毅 刘广耀 张芹 肖荫果 陈景然 梁敬魁

作者单位: 中国科学院物理研究所A03(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国相图学术会议

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 304-307

在线出版日期: 2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）