全色系高亮度发光二极管芯片
本文介绍了我们产业化生产AlGaInP四元红/黄和GaN基蓝/绿高亮度发光二极管(LED)的技术现状.AlGaInP四元红/黄LED由MOCVD外延生长.12milx12mil芯片在588-628nm主值波长范围可提供亮度到160mcd的芯片;产品主值波长及亮度均匀;5mm封装后器件老化试验显示器可靠性高.GaN基蓝/绿LED由MOCVD外延生长,12mil×13mil非ITO芯片主值波长460-465nm器件亮度达到55mcd,主值波长515-525nm器件亮度达到280mcd.以上产业化生产的全色系高亮度发光二极管芯片性能达到进口芯片的先进水平.
发光二极管 芯片 老化试验 外延生长 化学气相淀积
何晓光 王向武 黄光辉 肖志博 王笃祥 黄尊祥 蔡伟智
厦门三安电子有限公司
国内会议
南昌
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36-38
2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）