硅衬底GaN蓝光LED的研发

摘要：

利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上成功地生长出了较高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得(002)遥摆曲线的半峰宽(FWHM)为389arcsec,(102)遥摆曲线的半峰宽(FWHM)为487arcsec.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为3.8V,反向电压为19V(10μA),光输出功率大于0.5mW.

关键词： 硅衬底 蓝光 发光二极管 氮化镓

作者: 江风益 方文卿 莫春兰 刘和初 周毛兴

作者单位: 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心;江西省昌大光电科技有限公司(南昌)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 23-25

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）