光MOS继电器的开关响应时间分析

摘要：

本文介绍了光MOS固态继电器结构及其工作原理,对影响光MOS固态继电器响应时间的因素进行了分析.并根据红外发光二极管(IRLED)、光电二极管阵列(PDA)、MOSFET芯片等因素对开关响应时间的影响,进行了优选试验,确定最佳材料匹配方案,改善了产品的响应速度.

关键词： 光MOS继电器 红外发光二极管 光电二极管阵列 MOSFET芯片 开关响应时间

作者: 王卫东 李小红

作者单位: 厦门华联电子有限公司(福建厦门)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 104-107

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）