940nmGaAs红外大功率发光二极管的研究
940nmGaAs红外大功率发光二极管不论在军事上还是民用方面都有着广泛的应用,主要用在测距、定向、夜视、空间通讯等方面.国内早期采用的材料均为液相外延生长的方法制造的,其工艺复杂,周期长,效率低、性能一致性差,难以满足目前急速增长的市场需要.我们研制的940nmGaAs红外大功率发光二极管,采用MOCVD的生长方法制作材料,生长的材料均匀性好、效率高,优化器件工艺,采用网格电极使电流分配均匀,大大提高了电流效率.更重要的是把原来的磨球工艺改为封玻璃透镜工艺,大大提高了成品率且简化了工艺.通过实验试制成功了该器件的专用透镜,保证了器件发散角的一致性,并对器件进行了严格的考核,受试器件性能完好.目前,该产品已形成稳定的规模化生产能力,得到了用户的认可和好评,经济效益将逐步显现出来.
发光二极管 砷化镓 化学气相沉积 红外光学器件
李学颜 张子汉 花吉珍
中国电子科技集团公司第十三研究所
国内会议
南昌
中文
64-66
2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）