与硅集成的La<,0.3>Ca<,0.7>MnO<,3-δ>薄膜及其电脉冲诱发可变电阻效应
研究了钙钛矿结构氧化物功能薄膜La<,0.3>Ca<,0.7>MnO<,3-δ>(LCMO)在半导体硅衬底上的外延生长及其电脉冲诱发可变电阻(EPIR)效应.通过在半导体硅衬底与功能薄膜之间添加Ir/MgO双层缓冲层的方法,制备了全外延的LCMO/Ir/MgO/Si(001)的异质结构,其面外外延关系为:LCMO(001)//Ir(001)//MgO(001)//Si(001).X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析表明,LCMO薄膜具有良好的结晶性,其表面的平整度达到了R<,a>=1.47nm.进一步电学性能研究表明,在Ag-LCMO-Ir三明治结构中,有着显著的电脉冲诱发可变电阻效应.分析认为这种电阻的变化与LCMO薄膜中靠近上下电极区的”等效畴”中的电荷占有状态有着密切的联系.
钙钛矿结构 硅衬底 电脉冲诱发可变电阻 氧化物功能薄膜
陈同来 李效民 陈立东 董睿 王群 于伟东 高相东
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室(上海)
国内会议
中国科协第五届青年学术年会材料科学技术分会暨第三届海内外中华青年材料科学技术研讨会
上海
中文
485-487
2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）