碳纳米带的结构与生长机制研究
采用热化学气相沉积技术在单晶硅衬底上制备了碳纳米带,并采用场发射SEM、TEM、激Raman光谱等分析手段对其形态和结构进行了研究.实验采用乙炔(C<,2>H<,2>)为碳源,铁为催化剂,获得了厚度在几十纳米、宽度在几百纳米,长度在100μm量级的碳纳米带.研究发现:碳纳米带是一种准二维材料,其碳层沿着与其生长轴方向一致的(002)晶向向的排列,碳层的边缘都弯曲折叠成封闭结构.碳层的排列不很平直,其中存在大量的层错.对碳纳米带的生长机制的研究表明:碳纳米带的生长是通过碳原子从片层状催化剂侧面的扩散、析出来实现的.
热化学气相沉积 碳纳米带 显微结构 生长机制
郑瑞廷 程国安 赵勇 刘华平 梁昌林
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,材料科学与工程系(北京)
国内会议
中国科协第五届青年学术年会材料科学技术分会暨第三届海内外中华青年材料科学技术研讨会
上海
中文
217-220
2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）