热处理对Ni/Al<,2>O<,3>界面电子结构的影响

摘要：

在多晶Al<,2>O<,3>基片上用射频磁控溅射法沉积Ni薄膜,将所得的样品N<,2>气保护下在400℃和800℃保温30分钟,采用光电子能谱配合Ar<”3+>离子原位刻蚀的方法分析不同热处理样品原子沿纵深方向的化学状态.界面区域化学状态和化学组成的研究结果表明在本文的实验条件Ni在界面与Al<,2>O<,3>没有明显的化学状态变化,即对界面电子结构的影响不明显,但在高温(800℃)条件下存在Ni向Al<,2>O<,3>基片的扩散.

关键词： 电子结构 Ni/Al<,2>O<,3> 界面 射频磁控溅射法 Ni薄膜 光电子能谱 热处理

作者: 刘韩星 张汉林 欧阳世翕 袁润章

作者单位: 武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 851-853

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）