工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响
本文报道了工作气压对射频溅射法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜影响的实验研究.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,溅射靶为六角氮化硼(h-BN),工作气体为Ar气和N<,2>气混合而成,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.结果表明,与射频功率、衬底温度和衬底负偏压一样,工作气压也是影响c-BN薄膜生长的重要参数.要得到一定立方相含量的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压,否则,薄膜中不能形成立方相.在工作气压为5×10<”-3>乇时,得到了立方相含量在90﹪以上的立方氮化硼薄膜.
立方氮化硼 射频溅射 工作气压 薄膜沉积 傅里叶变换红外吸收谱 衬底温度 立方相 超硬宽带隙材料
邓金祥 谭利文 王波 严辉 陈光华
北京工业大学应用物理系(北京)
国内会议
第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会
杭州
中文
640-642
2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）