多晶Si薄膜的低温生长及其表面反应的控制

摘要：

本文报道有反应气体SiF<,4>和H<,2>的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF<,4>与H<,2>的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑制带电粒子对薄膜生长表面的轰击是控制生长表面反应、制备高质量poly-Si薄膜的有效方法.用这种方法制备了H含量低达~1.0at.﹪、拉曼特征峰半高宽仅为~4.4cm<”-1>的poly-Si薄膜.

关键词： poly-Si薄膜 生长表面反应 微波等离子体CVD 多晶Si薄膜 低温生长

作者: 贺德衍 罗靖 程文娟

作者单位: 兰州大学物理系(兰州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 643-645

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）