GaP纳米复合发光材料的合成及性质
用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4~8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带.
GaP纳米晶 复合发光材料 水热合成 发射谱
潘教青 崔得良 张兆春 黄柏标 秦晓燕 蒋民华 彭俊彪
山东大学晶体材料国家重点实验室,晶体材料研究所(济南) 中国科学院激发态物理开放实验室(长春)
国内会议
第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会
杭州
中文
590-592
2000-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)