ECR-CVD法制备BN薄膜

摘要：

cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8﹪的BN薄膜;分析了H<,2>在CVD生长cBN中的影响.

关键词： 电子回旋共振 cBN薄膜 等离子体特性 CVD生长 Ⅲ-Ⅴ族化合物

作者: 张生俊 崔贲涛 王波 严辉 陈光华

作者单位: 北京工业大学材料学院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 633-636

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）