Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体在ACRT-B法生长过程中的溶质再分配
基于对溶质传输特性的定量估算,确定了Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏析的计算.结果表明,在ACRT-B法生长的Hg<,1-x>Mn<,x>Te e晶体中由于分凝Mn含量在初始区远高了平均值,随后逐渐降低.未端溶质含量则远低于平均值.只在晶锭中部很小的范围获得满足成分要求的晶段.而采用偏离理想成分配比的配料也能获得满足成分要求的晶段,并且在一定成分范围内随配料成分的降低,该晶段增大,其位置向结晶质量更高的初始区移动.欲生长x=0.11的Hg<,1-x>Mn<,x>Te晶体,推荐采用x<,0><0.11的配料成分.在计算的基础上,采用直径φ5mm的Hg<,0.89>Mn<,0.11>Te晶锭进行了ACRT-B晶体生长实验研究.通过电子探针成分分析获得了沿晶体长度的成分分布.在晶锭的主要区段,实验结果与计算结果一致.仅在初始区实验结果低于实验值,未端区高于实验值.分析认为这是由于计算模型中关于液相中溶质均匀混合的假设在初始区和未端区不满足造成的.
HgMnTe 晶体生长 布里奇曼法 ACRT 溶质再分配 偏析 半磁半导体材料
介万奇 李宇杰 刘晓华
西北工业大学凝固技术国家重点实验室(西安)
国内会议
第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会
杭州
中文
469-473
2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）