CMOS射频低噪声放大器的研究

摘要：

本论文对近年来国际上研究比较热门的射频(RF)CMOS低噪声放大器(LNA)的电路结构进行了简要的介绍和比较.简要的介绍了噪声系数(NF)和线性度的概念以便读者对LNA的重要指标有一个简单的了解;给出了一些典型的LNA电路结构并对其设计理念进行了简单的分析;对近几年来LNA的电路的变化进行了探讨,并归纳总结出一个表格以便读者对不同性能指标的LNA进行比较.最后,展望了CMOS RF LNA的未来发展趋势.

关键词： RF 射频电路 CMOS 低噪声放大器 LNA 基波 二次谐波 三阶互调点 噪声系数 噪声因子

作者: 张杰 陈军宁 柯导明 李忠义

作者单位: 安徽大学电子系(安徽合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第13届计算机辅助设计与图形学学术会议暨全国第16届计算机科学与技术应用学术会议

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 688-693

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）