高压下TATB晶体结构的理论研究

摘要：

采用Material Studio/CASTEP研究不同压强下TATB晶体结构表明:(1)当外压在0.1~10GPa时,TATB晶胞主要沿c轴方向变动;且晶体的能带结构及TATB的分子结构变化不大;(2)在几十个GPa的条件下,TATB可压缩至密度超过2.5g/cm<”3>,而能量升高不多;(3)在0.1~100GPa条件下,TATB晶体为半导体,而过渡到导体的压力大概为几百个GPa,此时TATB分子结构已被破坏.

关键词： TATB晶体结构 高压 能带结构 暴轰性能 炸药 钝感炸药 密度泛函方法

作者: 张朝阳 舒远杰 赵晓东 王新锋

作者单位: 中国工程物理研究院化工材料研究所(四川绵阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年全国含能材料发展与应用学术研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 551-554

在线出版日期: 2004-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）