电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟

摘要：

本文采用Monte Carlo方法模拟了入射能量为100keV的电子束透过以Si为衬底、厚为1000nm的抗蚀剂PMMA时的邻近效应.采用的模型是改进的连续漫化近似模型,即对于电子的非弹性散射,由Gryzinski激发函数描述内壳层电子激发,而价电子激发的能量损失由价电子的阻止本领(Bethe阻止本领减去内壳层电子的阻止本领)得到.

关键词： 电子束光刻 Monte Carlo

作者: 孙霞 丁泽军 肖沛 吴自勤

作者单位: 中国科技大学结构分析重点实验室,物理系(安徽合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子显微学会议

会议地点: 威海

会议语种:中文

页码: 363-363

在线出版日期: 2004-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）