InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响

摘要：

本文应用高分辨X射线衍射和透射电子显微技术研究了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长的In<,x>Ga<,1-x>N/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响.

关键词： InGaN GaN 量子阱结构 物理性能 透射电子显微 应变弛豫 临界厚度

作者: 李超荣 吕威 张泽

作者单位: 中国科学院物理研究所,北京电镜实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子显微学会议

会议地点: 威海

会议语种:中文

页码: 402-402

在线出版日期: 2004-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）