电极和基片对高次谐波体声波谐振器参数的影响
产生高稳定频率控制信号的器件通常要求在谐振模式上具有高Q值.常用的器件有晶体器件,表达声波器件和微波谐振器件等,但是这些器件常常不能满足应用所要求的性能,有的不能在高频工作,或者Q值达不到所需的要求.高次谐波体声波谐振器(HBAR)是由高Q值的非压电基片、压电薄膜和两个电极构成,压电薄膜作为换能器在基片中激发声波,一定激发频率下会在基片里形成驻波,从而导致整个HBAR器件产生谐振.HBAR在谐振模式有高Q值,并且可以在高频下工作,Q-频率的乘积能超过10<”14>,所以HBAR在频率控制和频率选择方面具有十分优越的性能.
电极 高次谐波体 声波谐振器 高稳定频率控制信号 非压电基片 压电薄膜 Q值 Q-频率
张辉 张淑仪
南京大学声学研究所近代声学国家重点实验室(南京)
国内会议
镇江
中文
31-32
2004-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）