硅基MEMS加工技术

摘要：

本文结合MEMS技术的发展历史,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向.指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合,追求大质量块和低应力,以及三维加工.SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向;标准化加工是MEMS研究的重要手段.

关键词： 微机电系统技术 体硅工艺 SOI技术

作者: 郝一龙 张大成 李婷

作者单位: 北京大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年惯性仪表与元件学术交流会

会议地点: 辽宁丹东

会议语种:中文

页码: 156-160

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）