Ca掺杂NdGaO<,3>氧离子导体的结构与电学性能
本文用固相反应法制备出A位掺杂Ca的氧离子导体Nd<,1-x>CaxGaO<,3-δ>(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2).用X射线衍射方法和交流阻抗谱对样品的晶体结构和电学性能进行了研究.研究结果表明,A位掺杂Ca的Nd<,1-x>CaxGaO<,3-δ>样品在室温下均匀为正交钙钛矿结构,掺杂使样品中的氧空位的浓度增加,电学性能明显提高.掺杂5mol﹪Ca的样品具有最高的电导率.Ca在A位的固溶限小于10mol﹪,掺杂量超过固溶限时,样品中出现杂质相Nd<,4>Ga<,2>O<,9>和CaGa<,3>NdO<,7>,这些杂相降低了样品的致密性和电学性能.通过A位掺杂,可以提高NdGaO<,3>基氧离子导体的离子电导率.
功能材料 掺杂NdGaO<,3> 固相反应 氧离子导体 电学性能 稀土
于鹤 贺天民 曲志刚 贺强 刘杰 裴力
吉林大学物理学院(吉林长春)
国内会议
苏州
中文
305-308
2004-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）