Bi和K掺杂对La<,2>Mo<,2>O<,9>中氧离子扩散及直流电导的影响
本文采用电导测量和介电弛豫方法研究了Bi和K掺杂对新型氧离子体La<,2>Mo<,2>O<,9>的氧离子扩散和离子导电的影响.在掺杂的试样中观察到了两个与氧空位短程扩散有关的介电弛豫峰.Bi和K掺杂后,氧空位的扩散激活能增加.适当的掺杂可以有效地抑制相变,并且在2.5﹪K掺杂的试样中得到了最高的低温电导率.低温电导率的改善对该类材料的实际应用具有重要意义.
氧离子导体 钼酸镧 介电弛豫
方前锋 王先平 程帜军
中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室(安徽合肥)
国内会议
苏州
中文
368-370
2004-10-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)