亚微米工艺流程研究

摘要：

本文介绍了在中国华晶中央研究所1.0微米工艺线上所开发的亚微米（0.8um）工艺流程，重点介绍了0.8um器件结构、工艺流程图、关键工艺设计以及用此流程制造出的0.8um器件的各项PCM参数。

关键词： LDD结构 自对准双阱 LOCOS隔离 Etehback 工艺

作者: 肖志强 陶建中 徐征 刘达 梁斌 赵文彬 毛志军

作者单位: 华晶电子集团公司中央研究所(无锡)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第四届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 402～405

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）