CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

摘要：

本论文通过实验制备得到CuIn<,0.7>Ga<,0.3>Se<,2>(CIGS),CdS,ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得它们的能带边失调值ΔE<,c>,ΔE<,v>.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔE<,c>对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0~0.4eV),这对电池整体性能都不是很好.

关键词： 异质结 能带边失调值 薄膜太阳电池 半导体材料

作者: 薛玉明 孙云 何青 李凤岩 朴英美 刘维一 周志强 李长健

作者单位: 南开大学光电子所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 277-280

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）