无Cd薄膜CuInS<,2>太阳电池的低成本全程溅射技术制作
本文提出了一种新的无Cd薄膜CuInS<,2>太阳电池的工业化生产技术,通过运用全程溅射工艺降低制作成本.为改善短波段的量子效率和增大短路电流,采用反应溅射制作了ZnS薄膜代替CdS作为缓冲层避免了对环境的污染.所制得的ZnO:Al/ZnO/ZnS/CuInS<,2>/Mo/Glass结构的薄膜太阳电池的暗I-V关系具有良好的二极管特性.
CuInS<,2>基薄膜太阳电池 全程溅射
邵乐喜 黄惠良
湛江师范学院,信息科技学院(广东湛江) 国立清华大学,电子工程研究所(台湾新竹)
国内会议
上海
中文
273-276
2003-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)