陶瓷硅衬底上沉积多晶硅薄膜研究

摘要：

本文采用陶瓷硅作为衬底材料,用RTCVD沉积制备了多晶硅薄膜.对薄膜的SEM表面形貌进行分析表明:薄膜的结构和形貌与沉积温度和衬底状况有关,高温下可以沉积得到大晶粒且致密的薄膜.应用Scherrer公式估算了薄膜的晶粒尺寸,与SEM图的结果相一致.Hall测量分析了薄膜的性能,薄膜的迁移率随沉积温度的增加而增加,电阻率随沉积温度的增加而降低.

关键词： 陶瓷硅衬底 多晶硅薄膜 性能分析 太阳电池 薄膜沉积

作者: 廖华 林理彬 刘祖明 李景天 刘强 陈庭金 许颖

作者单位: 云南师范大学太阳能研究所(昆明);四川大学物理系,辐射物理及技术国家教育部重点实验室(成都) 四川大学物理系,辐射物理及技术国家教育部重点实验室(成都) 云南师范大学太阳能研究所(昆明) 北京市太阳能研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 149-152

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）