陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究
不采用隔离层和盖帽层结构可简化区熔再结晶工艺,在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜.实验中衬底采用市售的电子级三氧化二铝陶瓷,采用快速热化学(RTCVD)方法生长,然后用区熔再结晶(ZMR)方法使籽晶层在高温下熔化并重新结晶,晶体质量得到改善,并且颗粒尺寸增大了几个数量级,达到几十个微米甚至毫米量级,符合制作太阳电池的要求.实验中给出了用X射线衍射方法作出的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到的表面形貌.
区熔再结晶 晶向 颗粒尺寸 陶瓷衬底 多晶硅薄膜 太阳电池
顾亚华 许颖 叶小琴 王文静 李海峰 万之坚
北京市太阳能研究所(北京) 清华大学(北京)
国内会议
上海
中文
100-102
2003-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)