太阳能直拉硅片衬底中氧的热行为及其对光电转换效率的影响
采用不同氧碳含量的P型(100)无位错CZSi片制作单体硅光电池.为研究氧杂质的行为与影响,实验中设计了不同温度、气氛的热工艺条件.实验结果发现:适当的热处理工艺能引起硅片中氧的形态转变,以及氧碳结构的重组;络合体的形成起到一定的吸杂作用,对光生载流子的复合减弱,提高了少子寿命;光电转换效率明显提高.
热处理 硅太阳电池 光电转换效率 氧杂质
任丙彦 霍秀敏 左燕 傅洪波 励旭东 许颖 王文静 赵玉文
河北工业大学(天津) 北京市太阳能研究所(北京)
国内会议
上海
中文
77-79
2003-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)