能带不连续性对a-Si/c-Si(HIT)异质结构光伏特性的影响
本文报道了运用AMPS模拟程序对a-Si/c-Si HIT(heterojunction with an intrinsic thin layer)异质结太阳电池数值模拟结果.研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对光伏性能的影响,并与Tanaka M等的试验结果进行了比较.为了解a-Si/c-Si界面的能带补偿,我们还就固定本征层厚度的HIT结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同Gall S等报道的试验结果也进行了比较.结果表明,只有在较小的导带补偿(~0.18eV)和较大的价带补偿(~0.5eV)时,其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合.
能带不连续性 数值模拟 太阳电池 异质结构 光伏特性
胡志华 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 徐艳月 孔光临
中国科学院半导体研究所(北京);云南师范大学太阳能研究所(昆明) 中国科学院半导体研究所(北京)
国内会议
上海
中文
251-253
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）