镁铝尖晶石透明陶瓷衬底上沉积多晶硅薄膜研究

摘要：

本文以镁铝尖晶石透明陶瓷为衬底,用RTCVD(Rapid Tnermal Chemical Vapor Deposition)沉积制备了多晶硅薄膜,制备的薄膜均匀致密,研究了薄膜的性能和生长机理.在不同的沉积温度条件下所制备的多晶硅薄膜均表现为明显的择优取向,其择优晶向为(220).在高温条件下,薄膜以层状的形式生长;薄膜的迁移率随沉积温度的增加而增大.高温条件下获得了48.22cm<”2>(V·s)的迁移率.

关键词： 镁铝尖晶石透明陶瓷 多晶硅薄膜 薄膜沉积 太阳电池

作者: 廖华 林理彬 刘祖明 李景天 刘强 陈庭金 许颖

作者单位: 云南师范大学太阳能研究所(昆明);四川大学物理系,辐射物理及技术国家教育部重点实验室(成都) 四川大学物理系,辐射物理及技术国家教育部重点实验室(成都) 云南师范大学太阳能研究所(昆明) 北京市太阳能研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 183-185

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）