铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化
利用铝诱导非晶硅薄膜晶化制备多晶硅薄膜可以降低退火温度,缩短退火时间.在此基础上,通过在退火过程中加入电场加速界面处硅、铝原子间的互扩散,实现了非晶硅薄膜在更低温度下更加快速的晶化.实验结果表明,外加电场,退火温度为400℃退火时间为60min时,薄膜的晶化率接近100﹪;退火温度为450℃退火时间为30min时,薄膜呈现明显的晶化现象;奶粉火温度为500℃退火时间为15min时,薄膜的X射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的3~4倍.
非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 外加电场 太阳能电池
陈一匡 林揆训 罗志 梁锐生 周甫方
汕头大学物理系
国内会议
上海
中文
269-272
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）