铝浆特性及烧结工艺条件对晶体硅太阳电池背场的影响

摘要：

在商业化晶体硅太阳电池制造技术中,广泛采用丝网印刷铝浆烧结工艺制作铝背场(BSF).铝浆经过烧结与衬底硅材料发生共熔合金后,形成p<”->p<”+>冶金结,即背面场.同时,铝浆厚膜烧结层又作为背面电极.材料供应商提供的不同牌号铝浆有不同的配方和工艺条件的要求.在具体的工艺制备过程中,应该进行相应的工艺优化.材料或工艺过程引入的深能级杂质玷污铝浆对太阳电池的危害性最大.本文分析研究了铝浆及烧结工艺对晶体硅太阳电池背场的影响.

关键词： 铝浆 烧结工艺 背场 太阳电池 晶体硅

作者: 张忠文 刘祖明 李杰慧 李景天 廖华 彭银生

作者单位: 昆明光伏科技有限公司(昆明) 昆明光伏科技有限公司(昆明);云南师范大学太阳能研究所(昆明) 云南师范大学太阳能研究所(昆明)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 62-65

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）