硅薄膜P型掺杂特性的研究
本文研究了硅薄膜不同P型掺杂剂对材料特性的影响,实验发现,B<,2>H<,6>作为掺杂剂时,掺硼量对材料的生长速率和微结构有重要影响.随掺硼量增加,材料的生长速率加快、晶化率下降.当采用B(CH<,3>)<,3>作掺杂剂时,掺硼量对材料的生长速率和晶化率的影响相对较小.我们采用PR-650光谱光度计,对等离子体发射光谱(OES)进行在线监测,通过分析OES谱所反映的反应前驱物信息发现:B<,2>H<,6>的掺入会使辉光光谱中SiH<”*>等各种离子密度增强,而B(CH<,3>)<,3>作掺杂剂时,随B(CH<,3>)<,3>量的增加,SiH<”*>峰值增加较少,而H<,2><”*>和H<”*>的峰值会有较大幅度的提升,文中对实验结果进行了讨论.
硅薄膜 掺杂特性 等离子体发光谱 太阳电池 非晶硅薄膜
郭群超 耿新华 张建新 张德坤 孙建 任慧志 吴春亚
河北工业大学(天津) 南开大学光电子所(天津)
国内会议
上海
中文
122-124
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）