非晶硅基太阳电池p型界面的研究

摘要：

本文介绍作者关于非晶硅基pin型太阳电池p型界面的研究工作.我们采用了AMPS模型计算模拟与PECVD技术制备电池样品相结合的研究方法.研究工作中,我们发现由界面问题引起的光伏I-V曲线的异常拐弯可区分为两类,一类的拐弯发生在开路电压附近,另一类的拐弯发生在电压大于开路电压之后,分别同异质结界面上附加界面层的存在和能带边的不匹配有关.

关键词： 非晶硅太阳电池 界面问题 开路电压

作者: 廖显伯 刁宏伟 胡志华 曾湘波 徐艳月 孔光临

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 258-260

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）