μc-SiC:H太阳电池窗口材料的研究

摘要：

用P型微晶硅(Pμc-Si:H)或微晶硅碳薄膜(Pμc-SiC:H)代替非晶硅碳(Pa-SiC:H)作非晶硅薄膜太阳电池的<”+>窗口材料,可以显著改善电池TCO/P<”+>界面和叠层电池隧道结构的接触特性,提高电池的填充因子和转换效率.本文采用七室连续RF-PECVD系统,通过调节衬底温度及精确控制B<,2>H<,5>的掺杂量,制备出了电导率达到10<”-1>S/cm量级,光学带隙大于2.2eV的优质P型微晶硅碳窗口(Pμc-SiC:H)材料.

关键词： P型微晶硅碳 电导率 掺杂率 太阳电池 非晶硅薄膜

作者: 任慧志 孙建 郭群超 侯国付 薛俊明 张德坤 朱锋 耿新华

作者单位: 南开大学光电子所(天津) 河北工业大学(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 132-135

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）