三甲基硼作为掺杂剂的P型a-SiC:H新型窗口材料的研究
宽带隙,高电导的P型a-Si合金窗口材料是研制非晶硅太阳电池的关键.与用乙硼烷作为掺杂剂相比,用三甲基硼掺杂可以大幅度降低P材料中的B—B键和B原子的密度,从而有效减少材料中的缺陷态密度,提高掺杂效率.因此能够制备出宽光学带隙且高电导的优质P型材料.我们已经制备出了σ<,D>>1.0×10<”-6>S/cm,E<,g>1.9eV的P型窗口材料.本文研究了用三甲基硼作为掺杂剂时衬底温度、各种反应气体流量等工艺条件对P型a-SiC:H材料及其电池性能的影响.
a-Si太阳电池 三甲基硼 光学带隙 暗电导率 缺陷态密度 掺杂剂
张德坤 薛俊明 王雅欣 孙建 任慧志 耿新华
国内会议
上海
中文
231-234
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）