MIp<”+>-Al<,x>Ga<,1-x>As/p-n-n<”+>-GaAs太阳电池的理论I-V特性
本文对新型高效率复合结构太阳电池进行了理论设计.首先设计了该电池的能带结构:在其MIp<”+>-Al<,x>Ga<,1-x>As结构的Ⅰ层表面引入固定负电荷,并用减反射膜覆盖,使其将p<”+>-Al<,x>Ga<,1-x>As层的空穴吸引到表面,使得该表面的能带向上弯曲,构成阻止电子向表面运动的感应势垒.由此,将感应结MIp<”+>-Al<,x>Ga<,1-x>As与p-n-n<”+>-GaAs级联构成一个新的整体电池.由连续性方程和电流方程组与相应的边界条件,以及能带结构模型,对方程组进行了数学处理.严格求得了电池的光生电流和暗电流的解析式,从而得到了电池的理论I-V特性的数学表达式J=J<,1>-J<,D>(V).根据所得到的理论结果,可以有效地优化设计本电池各区的几何结构和半导体材料参数,从而获得高效率的太阳电池.
太阳电池 I-V特性 能带结构
王履芳 涂洁磊 陈庭金
云南师范大学太阳能研究所
国内会议
上海
中文
287-291
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）