MIp<”+>-Al<,x>Ga<,1-x>As/p-n-n<”+>-GaAs太阳电池的电特性
太阳电池在光照工作状态下,两极间有一个正向偏压V加在结上,这时在电池内产生光电流I<,ph>的同时,将产生一个与之方向相反的”暗电流I<,D>(V)”,则输出到负载上的电流I为I=I<,ph>—I<,D>(V).因此,在一定工作电压下,欲获得最高的转换效率,则首先应获得尽可能高的光电流和尽可能低的暗电流是非常重要的.本文在各区均存在恒定电场及给定的能带模型下,对所设计的新结构MIp<”+>-Al<,x>Ga<,1-x>As/p-n-n<”+>-GaAs太阳电池的暗电流进行了严格数学处理,并得到了I<,D>(V)的理论解析表达式.以四种结构的简单太阳电池为特例的讨论结果表明,充分体现出所得到的暗电流理论表达式的正确性和广泛适用性.这些理论研究结果可以为各种结构类型的太阳电池的高效率优化设计提供必要而简单的理论依据.
太阳电池 暗电流 光电流 能带结构
陈庭金 王履芳 涂洁磊
云南师范大学太阳能研究所
国内会议
上海
中文
292-296
2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）