铸造多晶硅中的镍沉淀

摘要：

本文用红外扫描电镜(SIRM)研究了快冷和慢冷条件下铸造多晶硅中的镍沉淀规律.实验发现:相对于直拉单晶硅,镍在铸造多晶硅中存在着更低的沉淀温度,大约在700℃就有明显的镍沉淀生成;低温快冷下这些镍一般在晶界上偏聚沉淀,而低温慢冷则比较难观察到镍沉淀;在1100℃下的镍沉淀生成规律显著不同于低温下的生成规律,慢冷容易导致镍在晶界上沉淀,而快冷下则镍一般以均匀形核机制为主.基于实验观察结果,本文在最后将讨论镍沉淀形成的热力学和动力学规律.

关键词： 铸造多晶硅 镍 沉淀 太阳电池 半导体材料

作者: 席珍强 俞征峰 杨德仁 Moeller HJ

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,Institute for Experimental Physics,TU Freiberg,Germany

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 47-50

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）