用中频脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲参数对溅射电压的影响

摘要：

用磁控溅射法制备ZnO:Al透明导电膜时,降低溅射电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻.本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn:Al合金靶反应溅射制备ZnO:Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对溅射靶电压的影响.结果表明,延长反向脉冲时间是降低溅射电压的最有效方法.当反向时间由2μs增加到10μs时,溅射电压降低了60﹪以上.

关键词： 中频脉冲 透明导电膜 磁控溅射 溅射电压 太阳能电池

作者: 薛俊明 王雅欣 王凯杰 周祯华 李养贤 吴春亚 耿新华

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所(天津) 河北工业大学(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年中国太阳能学会学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 111-113

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）