用孪生对靶溅射低阻ZnO的研究
由于制备低阻ZnO时功率比较大(相对本征ZnO而言),故溅射对薄膜衬底轰击较大.为了尽量减少溅射带来的轰击影响,我们采用了孪生对靶直流溅射来制备低阻ZnO的工艺路线.通过XRD测量以及光学特性分析比较得出采用孪生对靶溅视比平面磁控溅射法优越.
ZnO薄膜 孪生对靶直流磁控溅射 透过率 太阳电池
朴美英 薛玉明 刘维一 李凤岩 何青 孙云 李长健
南开大学光电子所(天津)
国内会议
上海
中文
162-164
2003-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)